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文献资料

国内电子铜箔专利目录及其摘要(19)

[所属分类:文献资料] [发布时间:2017-10-23] [发布人:管理员] [阅读次数:] [返回]

童枫  编辑


锂电池用铜箔方面


1.二次电池用压延铜箔和使用其而成的锂离子二次电池以及锂离子电容器/申请公布号:CN106025288A/申请公布日:2016.10.12/申请人:JX金属株式会社

    本发明的课题是提供强度、耐热性和导电性优异的二次电池用压延铜箔和使用其而成的锂离子二次电池以及锂离子电容器。本发明的解决手段是二次电池用压延铜箔,以总计100~500重量ppm的量包含选自Ti和Zr中的一种以上,氧浓度为50重量ppm以下,在350℃下经1小时的热处理后依照JIS‑Z2241的与压延方向相平行的拉伸强度为350MPa以上,并且该热处理后的导电率为90%IACS以上,在热处理前后,拉伸强度的变化率为10%以下,铜箔表面的1000μm2的范围中长径为1μm~5μm的Zr或者Ti的夹杂物为10个以下。

 


2.电解铜箔、锂离子二次电池用负电极和锂离子二次电池/申请公布号:CN106340668A/申请公布日:2017.01.18/申请人:古河电气工业株式会社

  本发明提供一种制造二次电池时的操作性优异、且即使在150℃加热1小时拉伸强度也不会降低的电解铜箔,还提供一种通过将该电解铜箔用作集电体而提高了循环寿命的锂离子二次电池用负电极、及包括该电极的锂离子二次电池。一种电解铜箔,其毛面的光泽度Gs(60°)在20以上150以下,动摩擦系数在0.11以上0.39以下,在150℃加热1小时后的拉伸强度在350MPa以上,一种锂离子二次电池,将该电解铜箔作为集电体。

 

3.一种电解铜箔用添加剂及制备双光电池用电解铜箔的生产工艺/申请公布号:CN106350836A/申请公布日:2017.01.25/申请人:灵宝华鑫铜箔有限责任公司

 本发明公开了一种电解铜箔用添加剂,该添加剂为水溶液,其中明胶2~10 g/L、葡萄糖1~5 g/L、聚二硫二丙烷磺酸钠(SPS)2‑10 g/L、二甲基二硫羰基丙烷磺酸钠(DPS)2~10 g/L、异硫脲丙磺酸内盐(UPS)2‑5 g/L。本发明还公开了一种制备双光电池用电解铜箔的生产工艺,包括溶铜制液、电解生箔和防氧化处理步骤,在电解生箔步骤,向溶铜制液步骤得到的硫酸铜电解液添加所述的电解铜箔用添加剂。采用本发明制备的铜箔厚度≤12μm,厚度差≤0.5μm,粗糙度Rz≤1.5μm,光亮度80~300单位光泽,常温抗拉强度强度≥400MPa,延伸率310%。

 

   PCB用标准铜箔方面


4.一种提高铜箔耐腐蚀性的表面处理复合添加剂/申请公布号:CN106337194A/

申请公布日:2017.01.18/申请人:山东金宝电子股份有限公司

 本发明属于电解铜箔加工技术领域,尤其涉及一种提高铜箔耐腐蚀性的表面处理复合添加剂,每升复合添加剂的水溶液中含有:1.0~10g聚乙二醇、0.1~5.0g稀土盐、0.1~15g十二烷基苯磺酸钠和0.2~3.0g壳聚糖。本发明制得的复合添加剂控制性能较好,稳定性较强,在镀锌过程中使用此复合添加剂,能够改变镀层结晶形态,生产的铜箔表面镀层平整均匀,结晶细致紧密,铜箔耐盐酸劣化率低于3%以下,具有较好的耐腐蚀性,并且生产工艺简单、环保,成本较低,经表面处理的废箔也可回收再利用而不影响铜箔指标。  


5.处理铜箔、使用该处理铜箔的覆铜层叠板及印刷布线板/申请公布号:CN106211567A/申请公布日:2016.12.07/申请人:福田金属箔粉工业株式会社

 本发明的课题是提供一种处理铜箔,其适合于传输特性优良并且具有与树脂基材的高的剥离强度、并且蚀刻后的雾度(HAZE值)低且透过率高的印刷布线板。本发明提供了一种覆铜层叠板用处理铜箔,其是在未处理铜箔的至少一个面上具有粗糙化处理层以及在所述粗糙化处理层上具有抗氧化处理层的覆铜层叠板用处理铜箔,其中,所述粗糙化处理层由一次粒径为40nm~200nm的微细铜粒子形成,所述抗氧化处理层含有钼和钴,并且与绝缘性树脂基材进行粘接的处理面的十点平均粗糙度Rz为0.5μm~1.6μm,并且,所述未处理铜箔与所述处理面之间的色差ΔE╳ ab为45~60。

 


6.表面处理铜箔及其制造方法、印刷电路板用覆铜层叠板、以及印刷电路板/申请公布号:CN106164327A/申请公布日:2016.11.23/申请人:三井金属矿业株式会社

 本发明提供一种表面处理铜箔,其具备:铜箔、和在铜箔的至少单面设置的、氢浓度1~35原子%和/或碳浓度1~15原子%的主要包含硅的表面处理层。该表面处理铜箔可以如下制造:准备铜箔;在该铜箔的至少单面通过物理气相成膜或化学气相成膜形成氢浓度1~35原子%和/或碳浓度1~15原子%的主要包含硅的表面处理层。通过本发明能够提供具备表面处理层的铜箔,其即便在通过溅射等蒸镀法形成的极平坦的铜箔表面也能够实现与树脂层的高的密合强度并且具有适合于印刷电路板的细距化的、优选的绝缘电阻。

 

7.一种黑色电子铜箔的表面处理工艺/申请公布号:CN106086973A/申请公布日:2016.11.09/申请人:安徽铜冠铜箔有限公司

 一种黑色电子铜箔的表面处理工艺,包括:将生箔电镀成的低轮廓毛箔任选地经过酸洗预处理后依次进行第一粗化工序、第二粗化工序、第一固化工序、第二固化工序、第三固化工序、黑镍工序、镀锌工序、防氧化工序、有机膜工序和烘干工序。本发明在铜箔毛面形成了青黑色镀层,能起到遮蔽电路设计的作用,镀层稳定性高。

 

8.印刷配线板用电解铜箔及使用该电解铜箔的覆铜层压板/申请公布号:CN106068063A/申请公布日:2016.11.02/申请人:福田金属箔粉工业株式会社

   本发明旨在提供一种热处理后的延伸率高、具备耐折性,并且粗糙面侧的异常突起少的电解铜箔,在该电解铜箔制成覆铜层压板的情况下,可适用于HAZE值低的挠性印刷配线板。本发明公开了一种印刷配线板用电解铜箔,所述印刷配线板用电解铜箔将在鼓状旋转阴极表面连续析出而制造的电解铜箔的光泽面作为与绝缘性树脂基材的粘接面,所述光泽面在TD方向上的入射角60°的镜面光泽度为220以下,且所述光泽面在TD方向和MD方向上的入射角60°的镜面光泽度之和为350以上。

 

 9.抗翘曲铜箔/申请公布号:CN106048666A/申请公布日:2016.10.26/申请人: 长春石油化学股份有限公司

 本发明涉及一种经改良的涂覆铜箔及一种制造该铜箔的方法,其中该铜箔具有抵抗翘曲和抵抗皱纹的性质。具体而言,本发明的铜箔具有:(a)光泽面;(b)粗糙面,其中该粗糙面具有330至620的于60°入射角量测的机械方向光泽度;(c)该光泽面与粗糙面之间的表面粗糙度(Rz)差介于0.3至0.59微米;(d)该幅方向上的拉伸强度差为1.2公斤力/平方毫米(kgf/mm2)或更小。

            

 

10.铜箔表面处理镍‑磷电镀液中亚磷酸根、磷酸根去除方法/申请公布号CN106048674A/申请公布日:2016.10.26/申请人:江西铜业集团公司

 本发明涉及电镀液除杂的技术领域,特别提供一种铜箔表面处理镍‑磷电镀液中亚磷酸根、磷酸根去除方法,该方法主要包含以下步骤:(1)室温,在搅拌下向镍‑磷合金镀液中加入pH缓冲试剂,搅拌1~2h,使镀液pH维持在5~9;(2)向步骤(1)获取的溶液中加入可溶性三价铁盐形成亚磷酸铁、磷酸铁沉淀,搅拌2~3h后过滤沉淀物即可实现镀液中亚磷酸根、磷酸根去除。本发明具有除杂效果显著、操作简单、投资少、易于实现工业化生产的特点。 

 

11.一种电解铜箔表面的微细粗化处理工艺/申请公布号:CN106011965A/申请公布日:2016.10.12/申请人:山东金宝电子股份有限公司

本发明涉及一种电解铜箔表面的微细粗化处理工艺,包括如下工艺流程:一级粗化‑二级粗化‑一级固化‑二级固化‑三级粗化‑镀锌镍合金‑防氧化‑硅烷偶联剂处理‑干燥,本发明工艺生产的铜箔,具有较低的表面粗糙度,同时又具有很高的抗剥离强度,特别是在Tg170以上的板材上,表现出了优异的粘结强度,非常适合于低损耗、超低损耗的高速电路板;本发明工艺生产的铜箔,关键技术指标达到了日本三井金属(MHT)、古河电工(MP)、JX日石日矿金属(JTC‑LC)等先进铜箔厂家的同类产品水平,已经替代同类进口铜箔,应用于国内或欧美的高多层、HDI、无卤等高端板材。

 

12.印刷电路板用铜箔、其制造方法、印刷电路板用树脂基板以及印刷电路板/申请公布号:CN106028638A/申请公布日:2016.10.12/申请人:吉坤日矿日石金属株式会社

本发明涉及印刷电路板用铜箔、其制造方法、印刷电路板用树脂基板以及印刷电路板。本发明提供一种印刷电路板用铜箔,其特征在于,在铜箔的至少一面上具有铜箔的粗化处理层,该铜箔的粗化处理层中,粒子长度的10%的位置的粒子根部的平均直径D1为0.2μm~1.0μm,粒子长度L1与所述粒子根部的平均直径D1之比L1/D1为15以下。一种印刷电路板用铜箔,其特征在于,在具有粗化处理层的印刷电路板用铜箔与树脂层叠后、通过蚀刻除去铜层的树脂的表面,具有凹凸的树脂粗化面中孔所占面积的总和为20%以上。开发了在不使铜箔的其它诸特性变差的情况下回避上述电路侵蚀现象的半导体封装基板用铜箔。特别地,其课题在于,提供一种可以改善铜箔的粗化处理层,提高铜箔与树脂的粘接强度的印刷电路板用铜箔及其制造方法。 


附载体铜箔方面


13.附载体铜箔、积层体、积层体的制造方法、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法/申请公布号:CN106358377A/申请公布日:2017.01.25/申请人:JX金属株式会社/发明人;宫本宣明;古曳伦也

本发明公开附载体铜箔、积层体、积层体的制造方法、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法,具体提供一种极薄铜层的激光开孔性良好且适合制作高密度集成电路基板的附载体铜箔。附载体铜箔在载体的一面或两面依序具备中间层与极薄铜层,在将附载体铜箔从极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后,依据JIS C 6471将载体从附载体铜箔剥离时,利用激光显微镜所测得的极薄铜层的中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa满足Sz≦3.6μm,Sz/Sa≦14.00,且极薄铜层的中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦150。

 

14.带载体的铜箔、覆铜叠层板以及印刷线路板/申请公布号:CN106332458A/申请公布日:2017.01.11/申请人:三井金属矿业株式会社

本发明提供一种即使施加高温且长时间的热过程也能抑制载体箔的剥离强度的上升、即剥离强度稳定化的带载体的铜箔。带载体的铜箔,其是依次设置有载体箔、剥离层和极薄铜箔的带载体的铜箔,其中,剥离层包含5-羧基苯并三唑(5CBTA)和/或4-羧基苯并三唑(4CBTA),剥离层中5-羧基苯并三唑的附着量相对于4-羧基苯并三唑的附着量之比、即5CBTA/4CBTA比为3.0以上。

 

15.附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法/申请公布号:CN106304614A/申请公布日:2017.01.04/申请人:JX金属株式会社

 本发明涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法,具体提供一种极薄铜层的厚度为0.9μm以下的附载体铜箔,其可良好地抑制剥离载体时发生的针孔的产生。本发明的附载体铜箔依序具有载体、中间层、极薄铜层,极薄铜层的厚度为0.9μm以下,通过按照JIS C 6471 8.1的90°剥离法剥离所述载体时的剥离强度为10N/m以下。

 

16.附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法/申请公布号:CN106304615A/申请公布日:2017.01.04/申请人:JX金属株式会社

  本发明涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法,具体提供一种极薄铜层的厚度为0.9μm以下的附载体铜箔,其可良好地抑制剥离载体时发生的针孔的产生。本发明的附载体铜箔依序具有载体、中间层及极薄铜层,且极薄铜层的厚度为0.9μm以下,在根据JIS B0601‑1994而利用激光显微镜测定载体的极薄铜层侧表面时,算术平均粗糙度Ra为0.3μm以下,通过按照JIS C 6471 8.1的90°剥离法剥离所述载体时的剥离强度为20N/m以下。

 

17.附载体的铜箔、积层体、印刷布线板的制造方法及电子机器的制造方法/申请公布号:CN106257969A/申请公布日:2016.12.28/申请人:JX金属株式会社

 本发明涉及附载体的铜箔、积层体、印刷布线板的制造方法及电子机器的制造方法。一种附载体的铜箔,其在将极薄铜层侧的表面贴附在绝缘基板进行加热压接后剥离去除载体而使用时的剥离强度、和将载体侧的表面贴附在绝缘基板进行加热压接后剥离去除极薄铜层而使用时的剥离强度的差的绝对值小,抑制在通过加热压接而贴附在绝缘基板时产生鼓起的情况,良好地抑制极薄铜层表面的氧化变色,且电路形成性良好。一种附载体的铜箔,依序具备载体、中间层、极薄铜层及表面处理层,在极薄铜层表面没有设置粗化处理层,表面处理层是由Zn或Zn合金构成,且表面处理层的Zn附着量为30~300μg/dm2,在表面处理层为Zn合金的情况下Zn合金中的Zn比率为51质量%以上。

18.带载体的铜箔、带载体的铜箔的制造方法、用带载体的铜箔得到的覆铜层压板以及印刷线路板/申请公布号:CN106133200A/申请公布日:2016.11.16/申请人:三井金属矿业株式会社

  本发明的目的在于提供在剥离载体后铜箔上难以产生氧化的带载体的铜箔。为了实现该目的,采用带载体的铜箔等,其是依次层叠载体、剥离层、铜箔而成的带载体的铜箔,其特征在于,带载体的铜箔的刚剥离了载体的铜箔的剥离面的亮度L*值、与把剥离了载体的铜箔放置在温度25℃、且湿度50%~70%的恒温加湿环境下3天后的剥离面的亮度L*值之间的差为1.5以内。



19.带有载体箔的铜箔、覆铜层压板及印刷线路板/申请公布号:CN106103082A/

申请公布日:2016.11.09/申请人:三井金属矿业株式会社

本发明的目的是提供一种适于制造激光开孔加工时使用的覆铜层压板的带有载体箔的铜箔。为了实现该目的,本发明提供一种具有载体箔/剥离层/基体铜层的层结构的带有载体箔的铜箔,其特征在于,在该带有载体箔的铜箔的两面具备粗化处理层,所述粗化处理层具有由铜复合化合物构成的最大长度为500nm以下的针状或片状的凸状部形成的精细凹凸结构,在该载体箔的表面具备的粗化处理层被用作为激光吸收层,在该基体铜层的表面具备的粗化处理层被用作为与绝缘层构成材料粘合的粘合层。

 
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